NOT Gate ⦁ Truth Table VIN VOUT 0 1 1 0 → nMOS channel Width가 1u일 때 pMOS channel Width를 찾아야한다. → pMOS w = 2.91u일 때, pMOS ON 전류와 nMOS ON 전류 거의 같음(VIN, VOUT 그래프 만나는 지점이 거의 중앙) (VOUT = 1 → pMOS ON, nMOS OFF) (VOUT = 0 → pMOS OFF, nMOS ON) 2NAND Gate ⦁ Truth Table VINA VINB VOUT 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 @ VINA = 1) VINB = 0 → VOUT = 1, VINB = 1 → VOUT = 0 ⇒ NOT과 같음(VINA = 1 고정하고 NOT처럼 시뮬레이션) → nMOS c..

■ MOS Capacitor : Metal - Oxide - Semiconductor로 이루어진 Capacitor : MOSFET에서 [GATE - Si02(절연체) - BODY] 는 Capcitor와 같은 형태 ⦁ Gate 전압에 따라 Accumulation(축적), Depletion(공핍), Inversion(반전) 3가지 상태 @ Body p+ Substrate 가정) (a) : Accumulation (축적) - 조건 : Gate 전압 < 0 - channel X → MOSFET OFF → Drain-Source 전류 X (b) : Depletion (공핍) - 조건 : 0< Gate 전압 < Vth - 완전한 n-channel 형성 전 → MOSFET OFF → Drain-Source 전류 X ..

■ pMOS, nMOS 직∙병렬 동작 ⦁ MOSFET 동작 Input nMOS pMOS 0 OFF ON 1 ON OFF ⦁ 직⋅병렬 MOSFET 동작(2개) Input_1 Input_2 직렬 병렬 nMOS pMOS nMOS pMOS 0 0 OFF ON OFF ON 0 1 OFF OFF ON ON 1 0 OFF OFF ON ON 1 1 ON OFF ON OFF 두개 모두 ON이어야 연결 둘 중 하나만 ON이면 연결 ■ Gate Layout Stick Diagram : Layout을 빠르게 만들 수 있다. [Stick Diagram 그리는 법] 1. CMOS Schematic을 그린다. 2. pMOS부 혹은 nMOS부 중 하나를 선택하고 각 FET을 모두 한번씩만 경유하는 길(path)을 찾는다. → 이때 ..

■ Introduction ⦁ IC( Intergrated Circuit ) : 집적 회로, 다수의 Transistor가 하나의 칩에 ⦁ VLSI( Very Large Scale Intergration ) : 초 고밀도 집접회로 ★IC의 장점 1. Fast 2. Cheap → 고밀도 = 소형화 = 가격↓ 3. Low Power → 엔지니어가 항상 고려해야하는 3가지 ■ Si SI : 4족(최외각 전자 4개) 원소로 공유 결합은 통해 stable한 상태가 됨 → 부도체 상태 때문에 도핑을 하여 반도체로 사용 - n-type dopant : 5족 원소 사용 → 전자 다수 - p-type dopant : 3족 원소 사용 → 정공 다수 => n-type Mobility = p-type Mobility 2~3배 ..