[FullCustomIC] Cadence Virtuoso_2NAND, 2NOR, 3NAND, 3NOR Gate Layout
Full Custom IC/Study2024. 3. 23. 22:50[FullCustomIC] Cadence Virtuoso_2NAND, 2NOR, 3NAND, 3NOR Gate Layout

■ Finger-type : Layout 설계할 때 Gate를 병렬로 여러개로 나누는 것 1. 2NAND Gate Layout - 앞서 2NAND Gate Schematic에서 pMOS Width = 2.53u 인 것을 알아냈기 때문에 위처럼 세팅을 한다. - 위 세팅은 MOSFET 하나가 아니라 두 개를 이어붙인 세팅이다. (pMOS 하나일 때 Total Width = 2.53u) - 2개의 MOSFET을 2Finger 세팅 하지 않으면 크기가 커져 공통 단자를 묶어 2Finger로 세팅한다. Stick Diagram을 그리면 Layout을 쉽게 그릴 수 있다. (하지만 회로가 점점 복잡해지면 Stick Diagram이 오히려 어려워질 수 있어 그때는 Schematic만 보고 그리는 것이 좋다.) 2...

[FullCustomIC] Cadence Virtuoso_Layout 기초, NOT Gate Layout
Full Custom IC/Study2024. 3. 12. 22:42[FullCustomIC] Cadence Virtuoso_Layout 기초, NOT Gate Layout

Layout 기초 ⦁ 위 사진처럼 Layout에서 소자 내부를 볼 수 있다. (단축키 : Shift + F) ⦁ nMOS 구조 : Nimp(N+ dopant), PWdummy(아무런 의미X), Oxide, Poly, Metal, Contact ⦁ pMOS 구조 : Pimp(P+ dapant), NWell, Oxide, Poly, Metal, Contact ⇒ 검은색 바탕 전체가 P-Substrate → Single Well, N-Well 공정 NOT Gate Layout ⦁ Gate Input : pMOS, nMOS Gate 연결 & Input 단자 생성 ⦁ Output : pMOS Drain, nMOS Drain 연결 & Output 단자 생성 ⦁ VDD : pMOS Source와 Body(p-sub)..

[FullCustomIC] Cadence Virtuoso_3NAND, 3NOR
Full Custom IC/Study2024. 3. 12. 14:43[FullCustomIC] Cadence Virtuoso_3NAND, 3NOR

3NAND ⦁ Truth Table VINA VINB VINC VOUT 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 @ VINA = 1, VINB = 1) VINC = 0 → VOUT = 1, VINC = 1 → VOUT = 0 ⇒ NOT과 같음(VINA=1, VINB=1 고정하고 NOT처럼 시뮬레이션) → nMOS channel Width가 1u일 때 pMOS channel Width를 찾아야한다. → pMOS w = 2.31u 3NOR ⦁ Truth Table VINA VINB VINC VOUT 0 0 0 1 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 @ VINA = 0, V..

[FullCustomIC] Cadence Virtuoso_NOT, 2NAND, 2NOR
Full Custom IC/Study2024. 3. 12. 00:56[FullCustomIC] Cadence Virtuoso_NOT, 2NAND, 2NOR

NOT Gate ⦁ Truth Table VIN VOUT 0 1 1 0 → nMOS channel Width가 1u일 때 pMOS channel Width를 찾아야한다. → pMOS w = 2.91u일 때, pMOS ON 전류와 nMOS ON 전류 거의 같음(VIN, VOUT 그래프 만나는 지점이 거의 중앙) (VOUT = 1 → pMOS ON, nMOS OFF) (VOUT = 0 → pMOS OFF, nMOS ON) 2NAND Gate ⦁ Truth Table VINA VINB VOUT 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 @ VINA = 1) VINB = 0 → VOUT = 1, VINB = 1 → VOUT = 0 ⇒ NOT과 같음(VINA = 1 고정하고 NOT처럼 시뮬레이션) → nMOS c..

[FullCustomIC] MOSFET 기본 이론(3)_Operation modes 등
Full Custom IC/이론2024. 3. 9. 10:58[FullCustomIC] MOSFET 기본 이론(3)_Operation modes 등

■ MOS Capacitor : Metal - Oxide - Semiconductor로 이루어진 Capacitor : MOSFET에서 [GATE - Si02(절연체) - BODY] 는 Capcitor와 같은 형태 ⦁ Gate 전압에 따라 Accumulation(축적), Depletion(공핍), Inversion(반전) 3가지 상태 @ Body p+ Substrate 가정) (a) : Accumulation (축적) - 조건 : Gate 전압 < 0 - channel X → MOSFET OFF → Drain-Source 전류 X (b) : Depletion (공핍) - 조건 : 0< Gate 전압 < Vth - 완전한 n-channel 형성 전 → MOSFET OFF → Drain-Source 전류 X ..

[FullCustomIC] MOSFET 기본 이론(2)_Stick Diagram 등
Full Custom IC/이론2024. 3. 9. 00:58[FullCustomIC] MOSFET 기본 이론(2)_Stick Diagram 등

■ pMOS, nMOS 직∙병렬 동작 ⦁ MOSFET 동작 Input nMOS pMOS 0 OFF ON 1 ON OFF ⦁ 직⋅병렬 MOSFET 동작(2개) Input_1 Input_2 직렬 병렬 nMOS pMOS nMOS pMOS 0 0 OFF ON OFF ON 0 1 OFF OFF ON ON 1 0 OFF OFF ON ON 1 1 ON OFF ON OFF 두개 모두 ON이어야 연결 둘 중 하나만 ON이면 연결 ■ Gate Layout Stick Diagram : Layout을 빠르게 만들 수 있다. [Stick Diagram 그리는 법] 1. CMOS Schematic을 그린다. 2. pMOS부 혹은 nMOS부 중 하나를 선택하고 각 FET을 모두 한번씩만 경유하는 길(path)을 찾는다. → 이때 ..

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